HXYS6N170T6_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:6.7A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:700mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1700V的高漏源電壓（VDSS）和6.7A的連續漏極電流（ID）能力，適用于高壓、高效率開關應用。其導通電阻（RDON）為700mΩ，在同類高壓器件中具備較低的導通損耗。碳化硅材料特性使其在高頻、高溫環境下仍能保持穩定性能。該器件適用于高壓電源轉換系統，如大功率開關電源、可再生能源發電中的直流變換模塊、儲能系統的功率調節電路，以及對能效和功率密度有較高要求的電力電子拓撲結構。
