HXYY17N65NF_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:17A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該氮化鎵晶體管為N溝道增強型高電子遷移率器件，具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可持續(xù)承載17A的漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為100mΩ。基于氮化鎵材料的寬禁帶特性，器件具有優(yōu)異的開關(guān)速度與導通性能，適用于高頻率、高效率的功率轉(zhuǎn)換場景。典型應用包括高頻開關(guān)電源、高效AC-DC與DC-DC轉(zhuǎn)換模塊、無線充電發(fā)射端電路及高密度電源適配器，有助于提升系統(tǒng)功率密度并降低熱損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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