HXY60P03D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.2mR 參數(shù)4：VGS:25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有30V的漏源耐壓（VDSS）和25V的柵源電壓范圍（VGS），可承受最高60A的連續(xù)漏極電流（ID）。其導通電阻（RDON）低至7.2mΩ，在同類器件中表現(xiàn)出優(yōu)異的導通性能，有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。P溝道結構適用于高邊開關及電源管理應用，能夠簡化柵極驅動電路設計。該器件廣泛用于各類電子設備的電源控制、負載開關及電池供電系統(tǒng)中，滿足對高可靠性和緊湊設計的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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