HXYS18N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:17.9A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20V的柵源電壓范圍（VGS），可持續(xù)承載17.9A的漏極電流（ID）。其導通電阻低至160mΩ，有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和快速開關(guān)能力，適用于高頻率、高電壓的功率轉(zhuǎn)換場合。典型應用包括高壓電源模塊、可再生能源逆變裝置及高效DC-AC轉(zhuǎn)換電路，適合對功率密度和熱管理有較高要求的設(shè)計場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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