HXY10N65D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:720mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和10A的連續漏極電流（ID），適用于中高功率開關場景。其720mΩ的低導通電阻（RDS(ON)）有助于減少導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為±30V，具備較好的驅動兼容性與穩定性。器件結合高耐壓與適度電流能力，常用于電源轉換拓撲，如AC-DC變換器、DC-DC轉換器及高壓開關電路，適用于對能效和空間布局有要求的電力電子設備。
