HESDNC8VB1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:6A 參數2：VRWM:8V 參數3：CJ:10pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該ESD保護器件采用單通道雙向設計，適用于對極性變化瞬態電壓的防護。反向工作電壓（VRWM）為8V，可兼容多種低壓信號線路的保護需求。10pF的低結電容有助于維持高速信號完整性，減少傳輸失真。在6A峰值脈沖電流（IPP）條件下具備良好箝位能力，能有效吸收靜電放電和瞬態浪涌能量。雙向結構使其可應對正負雙向瞬態干擾，常用于通信接口、便攜設備及消費類電子產品中的信號線保護，提升系統可靠性。
