HXYT75N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：集電極電流(Ic):75A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):75A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT具備75A的集電極連續(xù)電流能力，可承受最高650V的集射極電壓，適用于中高功率開關(guān)場景。其導(dǎo)通狀態(tài)下集射極飽和電壓典型值為1.6V，配合反并聯(lián)二極管1.6V的正向壓降，有助于降低導(dǎo)通損耗。二極管額定正向電流為75A，與主電流匹配良好，保障續(xù)流過程穩(wěn)定。該器件適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用，如電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動與逆變裝置，支持高頻開關(guān)操作，具備良好的熱穩(wěn)定性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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