HXY100N02D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有20V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），連續漏極電流可達80A，導通電阻低至2.8mΩ，適用于高效能電源轉換場景。其低RDON特性有助于減少導通損耗，提升系統整體效率。器件適用于高密度直流電源模塊、便攜式電子設備的功率管理電路以及電池供電系統的開關控制，可作為同步整流或負載開關使用。該MOSFET采用緊湊型封裝，利于節省PCB空間，適合對熱性能和電氣性能要求較高的應用環境。
