HXYS30N120T6_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:18V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有1200V的漏源擊穿電壓和30A的連續(xù)漏極電流能力，導(dǎo)通電阻低至75mΩ，可在高電壓條件下有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。推薦柵源電壓為18V，確保器件穩(wěn)定工作于增強(qiáng)模式。依托碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的高溫工作性能與高頻開關(guān)能力，反向恢復(fù)損耗極小，適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。典型應(yīng)用包括高壓DC-DC變換器、不間斷電源、光伏逆變裝置及儲(chǔ)能系統(tǒng)的主開關(guān)單元，有助于實(shí)現(xiàn)緊湊化設(shè)計(jì)與高效能量傳輸。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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