HXY7N04MI_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:7A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:19mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有40V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中等電壓功率控制場(chǎng)景。其連續(xù)漏極電流（ID）為7A，導(dǎo)通電阻（RDON）為19mΩ，在同類器件中具備良好的導(dǎo)通性能，有助于降低功率損耗并提升能效。該MOSFET適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊以及電池供電設(shè)備中的功率開關(guān)應(yīng)用。憑借其穩(wěn)定的電氣特性和較小的導(dǎo)通損耗，可在高密度電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效的能量傳輸與控制，滿足多種便攜式電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014
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