HXYS63N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓工作環境，支持63A的連續漏極電流（ID），具備較強電流承載能力。其導通電阻（RDON）低至32mΩ，可顯著降低導通損耗，提升系統能效。柵源電壓（VGS）為15V，驅動電壓適中，兼容常見驅動電路。得益于碳化硅材料特性，器件具有優異的開關速度與高溫工作穩定性，常用于高功率密度電源轉換系統、可再生能源發電裝置及高壓直流配電模塊中的開關與調節功能。
