HXYT60N120MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：集電極電流(Ic):60A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):60A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT具備1200V集射極擊穿電壓，可承受較高電壓應(yīng)力，適用于高功率轉(zhuǎn)換場合。集電極電流為60A，集射極飽和電壓為1.65V，具備較低的導通損耗。內(nèi)置續(xù)流二極管，正向電流與集電極電流匹配，達60A，正向壓降為2.35V，有助于提升續(xù)流效率。器件在高電壓、大電流條件下表現(xiàn)出良好的開關(guān)特性與導通性能，適用于需要直流到交流或交流到直流電能轉(zhuǎn)換的裝置，如電源逆變、電機驅(qū)動與能量回饋系統(tǒng)等場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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