HXY2012S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:12A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有20V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中等電壓開關場景。其連續漏極電流（ID）可達12A，導通電阻低至8mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統效率。低RDSON特性使其在高電流輸出應用中表現出色，適合用于電源管理、DC-DC轉換器、負載開關以及高密度便攜式設備中的功率控制。器件在高頻率開關電路中具備良好的穩定性和熱性能，滿足對能效和空間緊湊設計的要求。
