HXY10N65P_TO-220H_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:860mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和10A的連續漏極電流（ID）能力，適用于中高功率開關場景。其導通電阻（RDS(on)）典型值為860mΩ，在額定條件下可有效降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為±30V，具備較高的驅動兼容性與可靠性。器件結合高耐壓與適度電流特性，常用于電源轉換拓撲，如隔離型DC-DC變換器、高壓開關電源及電機驅動電路中的功率控制節點。
