HXYS85N120MP_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:ID:85A 參數(shù)2:VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:16mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具有1200V的漏源擊穿電壓(VDSS)和85A的連續(xù)漏極電流(ID),導(dǎo)通電阻低至16mΩ,適用于高功率密度與高效率要求的電源系統(tǒng)。基于碳化硅材料的優(yōu)異特性,器件具備出色的耐壓能力與熱穩(wěn)定性,可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)響應(yīng),有效降低開關(guān)損耗。其高性能參數(shù)使其廣泛應(yīng)用于大功率直流電源轉(zhuǎn)換、高壓逆變系統(tǒng)及高頻率開關(guān)電源模塊中,適合對(duì)系統(tǒng)效率和散熱設(shè)計(jì)有嚴(yán)格要求的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
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