HXYS29N65MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和37A的連續漏極電流（ID），導通電阻為60mΩ，柵源電壓范圍支持至15V。采用碳化硅材料，器件在高頻工作條件下表現出低開關損耗與優異的熱穩定性。適用于高效率的電源轉換系統，如高壓直流變換、不間斷電源、可再生能源逆變裝置及高密度功率模塊。其快速響應特性和高耐壓能力有助于提升系統能效，尤其適合在緊湊型設計與高溫環境中長期穩定運行。
