HXY13N50F_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:400mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有500V的漏源電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS），可承受最高13A的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDS(on)）低至400mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統效率。器件采用標準封裝，適用于開關電源、DC-DC轉換器及電機驅動等高電壓、中等電流的應用場景。憑借穩定的電氣參數和良好的熱性能，可在較寬的工作條件下保持可靠運行，適合用于各類中高壓功率控制電路設計。
