HXYS117N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:117A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET）具備1200V的高漏源電壓（VDSS）和117A的連續(xù)漏極電流能力，導(dǎo)通電阻僅為33mΩ。基于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的耐壓性能與高溫工作穩(wěn)定性，同時降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)能效。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換裝置，如大功率開關(guān)電源、高壓直流變換器、儲能系統(tǒng)中的逆變電路以及可再生能源發(fā)電設(shè)備的功率級設(shè)計，適合在高頻、高電壓條件下實現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換，是先進(jìn)電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵開關(guān)元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
