HXY50P03BD_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場效應(yīng)管具有30V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）耐受能力，適用于中等電壓電源開關(guān)場景。其連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)50A，導(dǎo)通電阻低至15mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在大電流應(yīng)用中具備良好的熱穩(wěn)定性。器件采用P溝道設(shè)計(jì)，在柵極無驅(qū)動(dòng)信號時(shí)可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，常用于高邊開關(guān)、電池供電設(shè)備的電源管理及負(fù)載切換電路，滿足對能效和空間利用率要求較高的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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