HXY9N20P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:200V 參數3：RDON:220mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續漏極電流（ID），導通電阻為220mΩ，最大柵源電壓可達20V。器件具備良好的開關特性和較高的耐壓能力，適用于中等功率的電源管理系統。其結構設計有助于降低導通損耗，提高能效，在直流電機驅動、高精度電源轉換電路及電池供電設備的功率控制模塊中表現穩定。適合在需要可靠開關動作與熱性能均衡的應用場景中使用。
