NTPF082N65S3F-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達18A，導通電阻（RDS(ON)）為94mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備高擊穿電場強度與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉換場合。其寬VGS范圍提升了驅動電路的適配能力，在硬開關或軟開關拓撲中均可實現穩定的開關性能和較低的溫升。
