TK170V65Z,LQ_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續(xù)漏極電流與800V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為165mΩ，可在柵源電壓-8V至@0V范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強(qiáng)度和低導(dǎo)通損耗特性，該器件適用于高頻、高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如通信電源、光伏逆變器及高密度開關(guān)電源等場合，在提升系統(tǒng)整體能效和減小散熱需求方面具有顯著優(yōu)勢。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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