NTBG015N065SC1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:210A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備210A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓達(dá)750V，導(dǎo)通電阻僅為11mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與寬禁帶特性，器件在高功率密度和高頻開關(guān)條件下仍能保持低損耗與優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)效率、體積和動(dòng)態(tài)響應(yīng)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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