UF3SC065030B7S-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備73A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻低至26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統(tǒng)以及對功率密度和能效有較高要求的電力電子設備。
