TK28V65W,LQ_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱性能，適用于高效率電源轉換系統，如通信電源、光伏逆變器及高頻DC-DC變換器等場景。
