IPW65R110CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關操作中表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及對功率密度和散熱性能有較高要求的電力電子應用。
