MSJP20N65A-BP-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），在導(dǎo)通狀態(tài)下典型電阻為165mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)控制，確保開關(guān)可靠性。依托碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與高耐壓特性，該器件適用于高頻、高溫及高功率密度的應(yīng)用場景，如高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源發(fā)電設(shè)備中的逆變單元、高壓直流變換模塊以及對效率和體積有較高要求的電力電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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