GSFU65RF110_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為18A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備低導(dǎo)通損耗與高開關(guān)速度特性，適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、光伏逆變器及儲能設(shè)備中的功率開關(guān)環(huán)節(jié)，有助于提升整體能效并簡化熱管理設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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