STFU28N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高電壓應用中展現出較低的導通損耗和優異的開關特性，同時具備良好的高溫工作能力。適用于需要高效率、高頻率運行的電源轉換系統，可有效支持對功率密度和熱管理有較高要求的電子設備。
