IPP60R199CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至165mΩ，可有效減少導通損耗。柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保驅動穩定性與器件可靠性。基于碳化硅半導體材料，具備優異的高頻開關能力、高溫工作性能及較低的開關損耗。適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、高壓直流變換模塊、光伏發電逆變單元以及儲能設備中的功率級電路，適合在對能效、熱管理和功率密度有較高要求的應用中使用。
