SIHP15N65E-GE3-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為306mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，兼容常規驅動電路并具備良好的柵極耐壓能力。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻工作時表現出較低的開關損耗與優異的熱性能，適用于高效率電源、小型化適配器及對能效和散熱有較高要求的電力電子系統。
