STP21N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為20A，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電力電子轉換場合。其寬柵壓范圍增強了與不同驅動電路的兼容性，N溝道結構則便于實現快速開關操作，在高電壓應力下仍能保持良好的電氣穩定性。
