G3F25MT06L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻典型值為26mΩ，可在-10V至@5V的柵源電壓范圍內可靠運行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關操作中表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率、熱性能及緊湊布局有較高要求的電源轉換系統。其電氣參數組合有助于簡化驅動設計并提升整體系統穩定性。
