STP24N60DM2-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備800V漏源擊穿電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍-10V至@5V，支持穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)與可靠關(guān)斷。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性、高溫工作能力及低反向恢復(fù)電荷，適用于高效率功率變換架構(gòu)。典型使用場(chǎng)景包括大功率開(kāi)關(guān)電源、直流變換裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的逆變單元以及高功率密度電源模塊設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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