NTMT095N65S3H-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換場景。其低RDS(on)有助于減小導通功耗，提升系統整體能效，同時支持緊湊型電路布局。
