NTMT110N65S3HF-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為37A，漏源電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源電壓VGS工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應用中展現出較低的導通與開關損耗，適用于高頻電源轉換、高效能電力電子系統等場景，能夠在提升系統效率的同時減少散熱需求。
