STL45N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至75mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性有助于提升整體能效表現(xiàn)，在高頻率運行條件下仍可維持較低的溫升，適合用于各類高效電力電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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