DIT085N10-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.1毫歐。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗，提升整體能效。器件適用于需要高效開關性能的場合，如電源管理、電機控制及高頻逆變系統，能夠在嚴苛電氣環境中保持穩定運行。
