IPL65R165CFDAUMA2-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統中的功率變換模塊以及對熱性能和體積有嚴苛要求的電力電子應用。
