FCP190N65F-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V漏源耐壓（VDSS）與20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至165mΩ，可減少導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持可靠驅動控制，適用于高頻率開關場景。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫穩定性和快速開關性能，適合用于高功率密度電源轉換裝置，如高效DC-DC變換器、高壓逆變設備、儲能系統中的功率模塊及各類要求嚴苛的電力電子電路設計。
