FCMT180N65S3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續漏極電流和800V的漏源擊穿電壓，導通電阻為165mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于多種驅動電路配置，并具備良好的開關穩定性。得益于碳化硅材料的高熱導率與高擊穿場強特性，該器件在高頻、高效率的電源轉換系統中可有效降低損耗，適用于服務器電源、光伏逆變器及高密度電力電子裝置中的功率開關應用。
