IPP65R115CFD7AAKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備30A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為94mΩ，在柵源驅(qū)動電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景。其高耐壓與低導(dǎo)通電阻的結(jié)合，有助于簡化散熱設(shè)計并提升系統(tǒng)整體性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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