IPP65R110CFD7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電力轉換系統。其低RDS(on)有助于減小導通壓降，提升整體能效，同時寬VGS耐受范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
