R6524ENZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場與低導(dǎo)通損耗特性，在高頻開關(guān)條件下仍能維持高效運(yùn)行，適用于對體積、效率及熱管理有較高要求的電源轉(zhuǎn)換場合，例如通信電源、光伏逆變系統(tǒng)以及高密度開關(guān)電源等應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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