IPW65R190C6FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備高耐壓能力與較低的導通損耗，在高頻開關應用中表現出良好的效率和熱穩定性。其寬柵壓范圍有助于提升驅動電路的適配性，適用于對功率轉換效率和系統緊湊性有較高要求的場合。
