IPL65R165CFDAUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續(xù)漏極電流（ID）和800V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為165mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內(nèi)穩(wěn)定工作。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻、高溫環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與低導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、可再生能源逆變器及高頻率開關(guān)電源等場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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