IPL65R200CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流額定值和800V的漏源擊穿電壓，導通電阻為165mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅動電平，有助于提升開關可靠性并降低誤觸發風險。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗及優異的高溫工作能力，適用于高頻電源轉換、可再生能源系統以及高效率電力電子設備中的功率開關環節。
