TK190E65Z,S1X_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ。其柵源電壓工作范圍為-10V至@5V，適用于需要高耐壓與高效開關性能的電力電子電路。碳化硅材料特性使其在高頻操作下仍保持較低的導通與開關損耗，適合用于高功率密度的電源系統、可再生能源轉換裝置以及對熱管理和效率有嚴格要求的場合。
