NTP190N65S3HF-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻低至165mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩(wěn)定可靠的柵極控制。依托碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件可在高頻、高溫環(huán)境下保持優(yōu)異性能。適用于高壓功率轉(zhuǎn)換應用，如高效開關電源、大功率DC-DC變換模塊、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的逆變單元以及高密度電源適配器等場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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