SCT3030ALGC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至26mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻、高溫環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的開關(guān)性能與導(dǎo)通效率，適用于對功率密度和能效要求較高的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低RDS(on)有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體系統(tǒng)效率，同時寬VGS范圍增強了驅(qū)動兼容性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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